將需要蒸發的合金材料制成細粒或粉末狀，讓其一顆一顆地落到高溫的坩堝中，每個顆粒在瞬間完全蒸發掉。這種方法也適用于三元、四元等多元合金的蒸鍍，可以保證膜層組分與膜材合金相一致。但是，對閃蒸蒸鍍法的蒸發速率的控制比較困難。
⒉多蒸發源蒸鍍法
在制備由多種元素組成的合金薄膜時，原則上可以將這幾種元素分別裝入各自的蒸發源中，同時加熱并分別控制蒸發源的溫度，即獨立控制各種元素的蒸發速率，以便保證沉積膜層的組分。這種方法要求各個蒸發源之間要屏蔽，防止蒸發源之間相互污染。
⒊ 反應蒸鍍法
反 應蒸鍍法是將活性氣體引入鍍膜室，使活性氣體的原子、分子和從蒸發源蒸發出來的膜材原子、分子發生化學反應，從而制備所需要的化合物薄膜的一種方法。粒子 間的化學反應可以在空間（即氣相狀態）也可能在基片上進行，或者兩者兼有，不過，一般認為在基片上進行化學反應的幾率較大。該反應與蒸發溫度、蒸發速度、 反應氣體的分壓及基片的溫度等因素有關。作為蒸發源的膜材可以是金屬、合金或化合物。反應蒸鍍法主要用于制備高熔點的絕緣化合物薄膜。
例如，在蒸發Ti時加入C2H2氣體，可獲得硬質膜TiC，其反應式為
2Ti+ C2H2→2TiC+H2
而在蒸發Ti時加入N2,可獲得硬質膜TiN,其反應式為
2Ti+N2→2TiN
又如，蒸發SnO2-In2O3混合物時加入一定量的O2，可獲得ITO透明導電膜。下表列舉了用反應蒸鍍法制備化合物薄膜的工藝條件。
| 薄膜 | 膜材 | 蒸發速率/nm·s-1 | 反應氣體 | 反應氣體壓力/Pa | 基片溫度/℃ |
| Al2O3 | Al | 0.4～0.5 | O2 | 10-3～10-2 | 400～500 |
| Cr2O5 | Cr | 約0.2 | O2 | 2×10-3 | 300～400 |
| SiO2 | SiO | 約0.2 | O2或空氣 | 約10-2 | 100～300 |
| Ta2O5 | Ta | 約0.2 | O2 | 10-2～10-1 | 700～900 |
| AIN | Al | 約0.2 | NH３ | 約10-2 | 300（多晶） 400～1400（單晶） |
| ZrN | Zr | N2 | |||
| TiN | Ti | 約0.3 約0.3 |
N2 NH３ |
5×10-2 5×10-2 |
室溫 室溫 |
| SiC | Si | C2H2 | 4×10-4 | 約900 | |
| TiC | Ti | C2H2 | 約300 |
在 制備化合物半導體薄膜時，基片溫度對膜層的結構和物理性能的影響是很明顯的，因此在制備二元化合物半導體單晶膜時，必須控制基片溫度。在這種情況下，將兩 種膜材分別裝入各自的蒸發源內，分別獨立的控制兩個蒸發源和一個基片的溫度（共計三個溫度）進行蒸發，故稱三溫度蒸鍍法。這種方法主要用于制備GaAs等 Ⅲ～Ⅴ族化合物半導體單晶薄膜。
24小時客服熱線：18820116619 （胡先生） QQ ：18820116619
